图像传感器及形成图像传感器的方法

摘要:本公开涉及一种图像传感器,其包括:第一光电二极管,用于转换第一波段的光,所述第一光电二极管的第一部分由第一半导体材料形成,所述第一光电二极管的第二部分由第二半导体材料形成;以及第二光电二极管,用于转换第二波段的光,所述第二光电二极管由第二半导体材料形成,其中,所述第一波段的至少部分波长大于所述第二波段的波长,所述第一半导体材料的能带隙小于所述第二半导体材料的能带隙。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够提高量子效率以及减少光的串扰。

专利类型:
发明专利
申请号:
CN201810151071.X
申请日期:
2018-02-14
公开/公告号:
CN108231816A
公开/公告日:
2018-06-29
主分类号:
H01L27/146(2006.01)I H H01 H01L H01L27
分类号:
H01L27/146
申请/专利人:
德淮半导体有限公司
发明/设计人:
周艮梅 穆钰平 黄晓橹
主申请人地址:
223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
专利代理机构:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人:
田菁
国别省市代码:
江苏;32
法律状态:
在审
主权项:

1.一种图像传感器,其特征在于,包括:第一光电二极管,用于转换第一波段的光,所述第一光电二极管的第一部分由第一半导体材料形成,所述第一光电二极管的第二部分由第二半导体材料形成;以及第二光电二极管,用于转换第二波段的光,所述第二光电二极管由第二半导体材料形成,其中,所述第一波段的至少部分波长大于所述第二波段的波长,所述第一半导体材料的能带隙小于所述第二半导体材料的能带隙。


0.158248s