一种DDR4标准的高速接收器电路

摘要:本发明公开了一种DDR4标准的输入接收器电路,包括第一晶体管MP1、第二晶体管MP2、第三晶体管MP3、第四晶体管MP4、第五晶体管MP5、第六晶体管MN1、第七晶体管MN2、第八晶体管MN3、第九晶体管MN4、第一反相器、第二反向器、第三反相器和第四反相器,其中MN4、MP5组成占空比调节电路,用于改善输出占空比。本发明的DDR4标准高速接收器电路具有结构简单、传输带宽高、传输延时小等优点。

专利类型:
发明专利
申请号:
CN201810405812.2
申请日期:
2018-04-29
公开/公告号:
CN108305648A
公开/公告日:
2018-07-20
主分类号:
G11C7/10(2006.01)I G G11 G11C G11C7
分类号:
[G11C7/10, G11C11/4093, H03F3/45]
申请/专利人:
南京胜跃新材料科技有限公司
发明/设计人:
孙嘉斌 贾一平 刘紫璇 胡凯 张超 陈倩 孙晓哲
主申请人地址:
211103 江苏省南京市江宁区东山国际企业研发园东麒路33号
专利代理机构:
南京中高专利代理有限公司 32333
代理人:
李晓
国别省市代码:
江苏;32
法律状态:
在审
主权项:

1.一种DDR4标准的输入接收器电路,其特征在于,包括第一晶体管MP1、第二晶体管MP2、第三晶体管MP3、第四晶体管MP4、第五晶体管MP5、第六晶体管MN1、第七晶体管MN2、第八晶体管MN3、第九晶体管MN4、第一反相器、第二反向器、第三反相器和第四反相器,其中第一晶体管MP1栅极接使能控制IE端,漏极接第三晶体管MP3、第六晶体管MN1漏极,源极接电源电压VDD;第二晶体管MP2栅极接使能控制IE端和第四反相器输入端,漏极接第四晶体管MP4、第七晶体管MN2漏极和第一反相器输入端,源极接电源电压VDD;第三晶体管MP3栅极和漏极短接后,接第一晶体管MP1、第七晶体管MN2漏极,源极接电源电压VDD;第四晶体管MP4栅极接第三晶体管MP3栅极,漏极接第二晶体管MP2、第七晶体管MN2漏极及第一反相器输入端,源极接电源电压VDD;第五晶体管MP5栅极接第四反相器输出端,漏极接第九晶体管MN4漏极,源极接电源电压VDD;第六晶体管MN1栅极接INN输入,漏极接第一晶体管MP1、第三晶体管MP3漏极,源极接第七晶体管MN2源极和第八晶体管MN3漏极;第七晶体管MN2栅极接INP输入,漏极接第二晶体管MP2、第四晶体管MP4漏极及第一反相器输入端,源极接第六晶体管MN1源极和第八晶体管MN3漏极;第八晶体管MN3栅极接IE端口,漏极接第六晶体管MN1、第七晶体管MN2源极,源极接地;第九晶体管MN4栅极接第一方向器输入端,漏极接第五晶体管MP5漏极,源极接第二反向器输出端和第三反相器输入端,第一反相器输出端接第二反向器输入端。


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