铜导体CFETR氦冷固态包层及屏蔽中子学设计与分析

       摘要: 根据铜导体CFETR设计要求,对铜导体CFETR固态包层和屏蔽进行了中子学设计与分析,提出了套管结构的氦冷固态包层设计方案.包层设计和屏蔽分析结果表明,基于套管的氦冷固态包层的氚增殖比(TBR)达到了1.25, 满足铜导体CFTER氚自持设计要求;环向场线圈绝缘层在堆寿期内不会出现显著的辐射感应电导率(RIC)与辐射引起的电气性能退化(RIED)效应.

作者:
赵奉超 冯开明 曹启祥 栗再新 张国书
单位:
核工业西南物理研究院,成都,610041
出处:
《核聚变与等离子体物理》
刊期:
2018年第38卷第1期
基金:
国家磁约束核聚变能发展研究专项

铜导体CFETR氦冷固态包层及屏蔽中子学设计与分析

摘要: 根据铜导体CFETR设计要求,对铜导体CFETR固态包层和屏蔽进行了中子学设计与分析,提出了套管结构的氦冷固态包层设计方案.包层设计和屏蔽分析结果表明,基于套管的氦冷固态包层的氚增殖比(TBR)达到了1.25, 满足铜导体CFTER氚自持设计要求;环向场线圈绝缘层在堆寿期内不会出现显著的辐射感应电导率(RIC)与辐射引起的电气性能退化(RIED)效应.

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