摘要:本发明公开了一种拓扑结构由杂散抑制型垂直叉指电容和八边形三维螺旋电感构成的具有高性能电容、电感的LTCC正交型耦合器，拓扑结构包括端口1、端口2、端口3和端口4，杂散抑制型垂直叉指电容与八边形三维螺旋电感之间通过微带线连接；杂散抑制型垂直叉指电容包括电容C1、电容C2、电容C3和电容C4，八边形三维螺旋电感包括电感L1、电感L2和电感L3，电感L2一端与电容C1和电容C3的一端连接，电容C1的另一端连接端口1，电容C3的另一端链接端口3，另一端与电容C2和电容C4的一端连接，电容C2的另一端连接端口2，电容C4的另一端连接端口4；电感L1设置在所述端口1和端口2之间，电感L3设置在所述端口3和端口4之间；本发明实现了耦合器的小型化。

1.一种具有高性能电容、电感的LTCC正交型耦合器，其特征在于，所述耦合器采用的拓扑结构由杂散抑制型垂直叉指电容和八边形三维螺旋电感构成，所述拓扑结构设置有端口1、端口2、端口3和端口4四个端口，所述杂散抑制型垂直叉指电容与所述八边形三维螺旋电感之间通过微带线连接；其中，所述杂散抑制型垂直叉指电容包括电容C1、电容C2、电容C3和电容C4，所述八边形三维螺旋电感包括电感L1、电感L2和电感L3，所述电感L2一端分别与所述电容C1和电容C3的一端连接，所述电容C1的另一端连接端口1，所述电容C3的另一端链接端口3，另一端分别与所述电容C2和电容C4的一端连接，所述电容C2的另一端连接端口2，所述电容C4的另一端连接端口4；所述电感L1设置在所述端口1和端口2之间，所述电感L3设置在所述端口3和端口4之间。